高频可控硅参数高频可控硅价格高频可控硅又称晶闸管，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件。可控硅可以工作在高电压、大电流、较高的频率下，用于大功率直流开关、电脉冲加工电源、激光电源和雷达调制器等电路中，具有耐压高、容量大、体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点，是比较常用的半导体器件之一，被广泛用于自动控制控制，机电领域，工业电气及家电等方面。目前分为：单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管等等。
产品特点: 1、全扩散工艺 2、分布式扩展放大门极结构 3、开关损耗低4、优良的动态特性 5、优良的高频性能，适用频率2.5KHz-10kHz 6、平板型陶瓷管壳封装 7、双面冷却
典型应用: 1、逆变器 2、电焊机3、斩波器 4、感应器 5、各种类型的强迫换流器
说明:
1、IGTVGTIH为25°C测试值，除非另作说明，参数表中其它参数皆为在Tjm下的测试值。
2、I2t=I2TSM×tw/2;tw=正弦半波电流底宽。在50Hz下，I2t=0.005I2TSM(A2s)
3、当使用在电流为60HZ情况下：ITSM(8.3ms)=ITSM(10ms)×1.066,Tj=Tjm I2t(8.3ms)=I2t(10ms)×0.943,Tj=Tjm
4、VTO:门槛电压，rT斜率电阻
5、门极引线:白色或无色；阴极引线（需要时）:红色
6、fm为最高工作频率，订货时请注明工作频率fm; 2.di/dt是单脉冲值
型号 | VDRMVRRM | IT(AV) | tq | ITSM | I²t | dv/dt | di/dt | IDRMIRRM | IGT | VGT | VTM/ ITM | Rth ( j-hs ) | Tjm | F | 外形图 |
| Ths55°C | 100°C | 10ms | 115°C | 25°C | ||||||||||
V | A | us | KA | KA²s | V/us | A/us | mA | mA | V | V/A | °C/W | °C | KN |
| |
G35KAD | 1200-1400 | 400 | 8-10 | 4.8 | 144 | 500 | 250 | 30 | 30-250 | 0.8-3.0 | 3.2/1200 | 0.035 | 115 | 15-20 | K1(查看) |
G40KAD | 1200-1400 | 500 | 8-10 | 6 | 180 | 500 | 250 | 50 | 30-250 | 0.8-3.0 | 3.2/1200 | 0.032 | 115 | 15-20 | K2(查看) |
G45KAD | 1200-1400 | 600 | 8-10 | 7.2 | 260 | 500 | 250 | 60 | 30-250 | 0.8-3.0 | 3.2/1200 | 0.03 | 115 | 18-25 | K3(查看) |
G50KAD | 1200-1400 | 800 | 8-10 | 9.6 | 461 | 500 | 250 | 80 | 30-250 | 0.8-3.0 | 3.2/1200 | 0.024 | 115 | 19-26 | K4(查看) |
G55KAD | 1200-1400 | 1000 | 8-10 | 12 | 720 | 500 | 250 | 100 | 30-250 | 0.8-3.0 | 3.2/1200 | 0.022 | 115 | 21-30 | K5(查看) |
襄阳硅海电子有限责任公司是一家专业研发生产可控硅及可控硅模块的公司，主要产品有KP普通可控硅、KK快速可控硅、KA高频可控硅、KS双向可控硅，同时生产MTC可控硅模块、MFC可控硅模块等系列可控硅模块。
襄阳硅海以“科学务实，创新高效”为工作作风 ，秉承“客户为中心，实施贴心服务”的工作理念，致力于实现“让客户放心使用，让员工快乐工作”的企业使命，建成“最值得信赖的企业”，成为一流电力半导体制造企业！
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