场效应晶体管生产厂家乾野电子专业从事各种大功率半导体器件与功率集成器件设计、生产和销售，是中国大功率半导体器件的领航设计与销售企业。

 

 

   场效应晶体管的介绍

 

　　场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8~10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

 

 

　 场效应晶体管的主要参数

 

　　直流参数

　　饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。

　　夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS.

　　开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS.

 

　　交流参数

　　低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。

　　极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。

 

　　极限参数

　　漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS.

栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。

 

 

   场效应晶体管的判断方法

 

　　结型场管脚识别

场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G.对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。

 

　　判定栅极

　　用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。

　　注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。