P沟道MOS管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两级之间不通导,栅极上有足够的正电压(源极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度,从而改变沟道的电阻。这种MOS管称为P沟道增强型MOS管。如果N型硅衬底表面不加栅压就以存在P型反型层沟道,加上适当的偏压,可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型MOS管。
通俗讲解MOS管P沟道和N沟道MOS管
1、P和N .这个和三极管类似,P沟道MOS的导通条件是栅极电压比漏极电压低5V以上,N沟道MOS的导通条件是栅极电压比源极电压高5V以上。记住这句话,这是关于MOS最重要的知识。
2、增强型耗尽型。大多数管子都是增强型的,耗尽型在无线电设备上有用到,平时说的功率MOS都是增强型的,它的功率可以做得很大
3、记住:不到万不得已不要用P沟道的MOS,价格昂贵、导通电阻大、发热大、效率低,它的唯一的优点是在某些场合中容易驱动,因为只要把栅极电压拉下来就可以了,而N沟道的MOS需要更高的驱动电压,这点很麻烦。
还有,分析电路的时候,P沟道的可看成PNP三极管,N沟道的可看成NPN的三极管,这样分析会更直观。
MOS管的特性:
1、它的栅极-源极间电阻很大,可达10GΩ以上。
2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省。
3、集成化时工艺简单,因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。
MOS管有N沟道和P沟道两类,每一类又分为增强型和耗尽型两种,凡栅极-源极电压为零时漏极电流也为零的管子,均属于增强型管;凡凡栅极-源极电压为零时漏极电流不为零的管子,均属于耗尽型管。电路中常用增强型MOS管,其工作原理:当栅极-源极电压变化时,将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少,从而控制漏极电流的大小。
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