P沟道MOS管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两级之间不通导，栅极上有足够的正电压（源极接地）时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS管称为P沟道增强型MOS管。如果N型硅衬底表面不加栅压就以存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型MOS管。

 

 

通俗讲解MOS管P沟道和N沟道MOS管

 

　　1、P和N .这个和三极管类似，P沟道MOS的导通条件是栅极电压比漏极电压低5V以上，N沟道MOS的导通条件是栅极电压比源极电压高5V以上。记住这句话，这是关于MOS最重要的知识。

　　2、增强型耗尽型。大多数管子都是增强型的，耗尽型在无线电设备上有用到，平时说的功率MOS都是增强型的，它的功率可以做得很大

　　3、记住：不到万不得已不要用P沟道的MOS,价格昂贵、导通电阻大、发热大、效率低，它的唯一的优点是在某些场合中容易驱动，因为只要把栅极电压拉下来就可以了，而N沟道的MOS需要更高的驱动电压，这点很麻烦。

　　还有，分析电路的时候，P沟道的可看成PNP三极管，N沟道的可看成NPN的三极管，这样分析会更直观。

 

 

   MOS管的特性：

 

　　1、它的栅极-源极间电阻很大，可达10GΩ以上。

　　2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省。

　　3、集成化时工艺简单，因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。

　　MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种，凡栅极-源极电压为零时漏极电流也为零的管子，均属于增强型管；凡凡栅极-源极电压为零时漏极电流不为零的管子，均属于耗尽型管。电路中常用增强型MOS管，其工作原理：当栅极-源极电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。

　　

　　

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