SOI是指将一薄层硅置于一绝缘衬底上。晶体管将在称之为´SOI´ 的薄层硅上制备。基于SOI结构上的器件将在本质上可以减小结电容和漏电流，提高开关速度，降低功耗，实现高速、低功耗运行。作为下一代硅基集成电路技术，SOI广泛应用于微电子的大多数领域，同时还在光电子、MEMS等其它领域得到应用。

我们提供100mm, 125mm, 150mm以及200mm圆片及其外延片。产品系列包括Simbond,键合圆片，高剂量和低剂量SIMOX圆片，并可根据用户需求外延到所需的表层硅厚度。此外，我们还向用户提供顶层硅小于50nm的超薄SIMOX系列和用于RF系统集成用的高阻SIMOX圆片。

      顶层硅的厚度可根据应用的不同而变化。借助精密仪器，键合技术以及外延设备，我们生产的顶层硅最薄可达20纳米，最厚可至几十微米或更多。一个更厚的顶层硅对光通讯及MEMS器件尤其重要。

SOI圆片主要有以下特点：

1.      提高运行速度

在特定的电压下，建在SOI材料上电路的运行速度比建在普通硅材料上电路的速度提高百分之30%，这极大地提高了微处理器和其它装置的性能。

2.      降低能量损耗

SOI材料能降低近30%-70%的能量消耗，特别适用于对能量消耗比较高的领域。

3.      改进运行性能

SOI材料能承受高达350摄氏度甚至500摄氏度的高温，对那些在恶劣环境下必须运转良好的设备特别适用。

4.      减小封装尺寸

SOI材料能满足IC制造商对产品越来越小的要求。