STD系列IGBT突波吸收电容
双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术,使电容具低感抗,
多条引线设计,可承受更高纹波电流,高du/dv以及高过压能力。
用于各类IGBT缓冲线路突波吸收,各类高频谐振线路
材料特性
电容结构:双层金属化膜,内部串联结构
封装:阻燃塑胶外壳,环氧树脂封装,符合(UL94V-0 )标准.
尺寸:适合于各种IGBT保护。(可按客户需求定制特殊规格)
电气特性
电容量: 0.0047 to 6.8μF,参考表格数据
额定电压: 700 to 3000 Vdc
损耗角正切:测试条件1000±20 Hz,25±5℃.
Cr≤1.0μF,4×10-4;Cr>1.0μF,6×10-4
绝缘电阻: 3000s,s= MΩ. μF测试条件1 minute,100Vdc (25±5℃)
耐电压: 2Ur (DC)测试条件10s,t 25±5℃,1Min
工作温度: -40~+85℃
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