产品技术参数

 典型关断延迟时间                        31 ns
 典型接通延迟时间                        7 ns
 典型栅极电荷@Vgs                      34 nC V @ 10
 典型输入电容值@Vds                 700 pF V @ 25
 安装类型                                        通孔
 封装类型                                        TO-220AB
 引脚数目                                         3
 最低工作温度                               -55 °C
 最大功率耗散                               68 W
 最大栅源电压                               ±20 V
 最大漏源电压                               55 V
 最大漏源电阻值                          0.04 Ω
 最大连续漏极电流                      29 A
 最高工作温度                              +175 °C
 每片芯片元件数目                      1
 类别                                              功率 MOSFET
 通道模式                                      增强
 通道类型                                      N
 配置                                             单
 高度                                             8.77mm

      深圳欧科信科技有限公司
主营：场效应管MOS管,电源驱动IC,快恢复二极管,肖特基二极管,SMD元件

  台湾 韩国，国内生产的高压MOS管在电源领域已得到广大客户的认可,
可直接替代IR/国际整流器 // FUJI/富士 // HOMSEMI/宏矽
 // FAIRCHILD/仙童 // UTC/台湾友顺 // ST/意法半导体等品牌的MOS管. 
我们公司优势在于：
 1、原装产品，质量有保证，备货快，大量现货，可深圳含税或不含税供应。
 2、品牌MOS管，厂家代理直销，价格合理。
 
2N60 TO-220F /TO-252   
4N60  TO-252  
4N60 TO-220F 
10N60  TO-220F  /TO-252   
12N60 TO-220F  /TO-252   
50N06 TO-220F /TO-252
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 欧科信科技/陈先生
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