更多
TMU4N60G TMU6N65G场效应管
1台起批
0.00
点此议价
深圳市芯纳电子有限公司
深圳市宝安区79区好运来商务大厦A座8015
产品属性
图文详情
品牌推荐
品牌/型号
韩国TRINNO/TMU4N60G TMU6N65G
品牌
韩国TRINNO
型号
TMU4N60G TMU6N65G
种类
绝缘栅MOSFET
沟道类型
N沟道
导电方式
耗尽型
用途
SW-REG/开关电源
封装外形
CER-DIP/陶瓷直插
材料
N-FET硅N沟道
最大漏极电流
4N60 6N65
跨导
4N60 6N65
开启电压
4N60 6N65
夹断电压
4N60 6N65
低频噪声系数
4N60 6N65
极间电容
4N60 6N65
最大耗散功率
4N60 6N65
电子元器件 > 场效应管 >
马可波罗版权所有1999-2020