公司是美国的碳化硅（SiC），氮化镓（GaN）晶片及射频通信元器件的供应商。可提供丰富全面的氮化镓 HEMT 和氮化镓 MMIC 产品，旨在满足数量不断增加的 RF 阵列和微波应用对宽波段、高效率和高可靠性的要求。 Cree公司的氮化镓HEMT器件非常适合通信应用的主机。 他们为寻求改善带宽，效率，工作频率，或挑战，以减少尺寸和重量变送器的应用是完美的。 雷达.氮化镓HEMT和MMIC器件是专为L，S，C，X和Ku波段的应用。我们的产品组合提供了一个广泛的高效率GaN HEMT的晶体管和放大器通过连续运行脉冲。 GaN HEMT器件的超宽带放大器应用的理想选择。
CMPA0060002F
2-W, 20-MHz – 6000-MHz, GaN MMIC Power Amplifier
Features:
17 dB Small Signal Gain
3 W Typical PSAT
Operation up to 28 V
High Breakdown Voltage
High Temperature Operation
0.5” x 0.5” total product size
Applications
Broadband Amplifiers
CREE国外现货 1周货期：
CGH40006P
CGH40006S
CGH40010F/CGH40010P
CGH40025F/CGH40025P
CGH40035F
CGH40045F
CGH40090PP
CGH40120F
CGH40180PP
CGH55015F2
CGH55030F2
CGHV27200-TB
CGHV27100-TB
CGHV22200-TB
CGHV22200F
CGHV27200F
CGHV22100F
CGHV27100F
CMPA5585025F
CMPA0060002F
CMPA0060025F
CMPA2560025F
库存型号和数量如下：
Cree现货：
CMPA2560025F CREE 13+ 3pcs
CGH40045FE Cree 9pcs
CGH40010F Cree 14+ 6pcs
CGHV1J006D Cree 14+ 50pcs
CGHV1J025D Cree 14+ 50pcs
