Cree是碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 晶片及 RF 通信设备的供应商。典型应用包括
- 双通道私人电台
- 宽带放大器
- 蜂窝基础设施
- 测试仪器
- 适于 OFDM、W CDMA、Edge、CDMA 波形的 A 类、AB 类线性放大器
Cree RF 器件尤其适用于高功率通信，这得益于我们所使用的碳化硅 (SiC) 材料。
SiC 具备的固有优势使得宽带放大器能够用于 UHF、L 频段和 S 频段应用。这些特性包括
- 高导热性
- 高击穿电
- 高饱和电子漂移速度
- 高功率密度（每单位栅范围功率）
这些特点使得 GaN HEMT 成为多倍频程应用中功率 FET 的理想之选，可用于十倍频程带宽功率放大器。
深圳市立维创展科技有限公司与Cree原厂直接签约代理销售其全系列射频通信用元器件，可提供COC文件和原厂提供的一切技术与服务支持。一手货源，货期与价格独具优势。
CGH40006P/F是CREE的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管放大器，操作频率：6GHz，运用于WCDMA和LTE的宽带放大器。
CGH40006P/F性能特征：
• Up to 6 GHz Operation
• 13 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz
• 11 dB Small Signal Gain at 6.0 GHz
• 8 W typical at PIN = 32 dBm
• 65 % Effciency at PIN = 32 dBm
• 28 V Operation
• CGH40006P/F应用范围：
• 2-Way Private Radio（双向私人广播）
• Broadband Amplifers （宽带放大器）
• Cellular Infrastructure （蜂窝基础设施）
• Test Instrumentation （测试仪器）
• Class A, AB, Linear amplifers suitable for OFDM, W-CDMA, EDGE, CDMA
waveforms
详细参数请联系：0755-83642657 83050846
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更多参数型号选择：CGH40006P
CGH40006S
CGH40010F/CGH40010p
CGH40025F/CGH40025p
CGH40035F
CGH40045F
CGH40090PP
CGH40120F
CGH40180PP
CGH55015F2
CGH55030F2
CGHV27200-TB
CGHV27100-TB
CGHV22200-TB
CGHV22200F
CGHV27200F
CGHV22100F
CGHV27100F
CMPA5585025F
CMPA0060002F
CMPA0060025F
CMPA2560025F
