Cree产品型号

公司是美国的碳化硅（SiC），氮化镓（GaN）晶片及射频通信元器件的供应商。可提供丰富全面的氮化镓 HEMT 和氮化镓 MMIC 产品，旨在满足数量不断增加的 RF 阵列和微波应用对宽波段、高效率和高可靠性的要求。 Cree公司的氮化镓HEMT器件非常适合通信应用的主机。 他们为寻求改善带宽，效率，工作频率，或挑战，以减少尺寸和重量变送器的应用是完美的。  雷达.氮化镓HEMT和MMIC器件是专为L，S，C，X和Ku波段的应用。我们的产品组合提供了一个广泛的高效率GaN  HEMT的晶体管和放大器通过连续运行脉冲。  GaN  HEMT器件的超宽带放大器应用的理想选择。  高功率密度，低寄生，高fT的内在属性，允许多倍频瞬时带宽放大器。  该产品组合还包括裸离散芯片和裸露的混合放大器和发射/接收模块多功能MMIC的模具设计。    无人机及数据链路  当你最需要一流的性能，Cree公司的GaN  HEMT器件和MMIC。  他们提供了非常高的效率，从而提高电池寿命，并降低了功率放大器的整体规模,在更轻的负载贡献较小的放大器结果。 
      深圳立维创展科技负责CREE全系列频率元件在中国区市场包括军工单位、航空航天、科研院所等客户的推广工作，面向微波通讯、空间系统、军事测量、相控阵雷达、医疗、工业研发等多个领域.

CGH40045-TB 开发板​

Cree是碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 晶片及 RF 通信设备的供应商。典型应用包括

• 双通道私人电台
• 宽带放大器
• 蜂窝基础设施
• 测试仪器
• 适于 OFDM、W CDMA、Edge、CDMA 波形的 A 类、AB 类线性放大器

Cree RF 器件尤其适用于高功率通信，这得益于我们所使用的碳化硅 (SiC) 材料。

SiC 具备的固有优势使得宽带放大器能够用于 UHF、L 频段和 S 频段应用。这些特性包括

• 高导热性
• 高击穿电
• 高饱和电子漂移速度
• 高功率密度（每单位栅范围功率）

这些特点使得 GaN HEMT 成为多倍频程应用中功率 FET 的理想之选，可用于十倍频程带宽功率放大器。

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深圳市立维创展科技有限公司与Cree原厂直接签约代理销售其全系列射频通信用元器件，可提供COC文件和原厂提供的一切技术与服务支持。一手货源，货期与价格独具优势。

CGH40010P/F是CREE的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管放大器，操作频率：6GHz，运用于WCDMA和LTE的宽带放大器。

CGH40010P/F性能特征：

•  Up to 6 GHz Operation
•  16 dB Small Signal Gain at 2.0 GHz
•  14 dB Small Signal Gain at 4.0 GHz
•  13 W typical PSAT
•  65 % Effciency at PSAT
•  28 V Operation

CGH40010P/F应用范围：

•  2-Way Private Radio（双向私人广播）
•  Broadband Amplifers （宽带放大器）
•  Cellular Infrastructure （蜂窝基础设施）

•  Test Instrumentation （测试仪器）
•  Class A, AB, Linear amplifers suitable  for OFDM, W-CDMA, EDGE, CDMA
waveforms

更多参数型号选择：CGH40006P 
CGH40006S
CGH40010F/CGH40010p
CGH40025F/CGH40025p
CGH40035F
CGH40045F
CGH40090PP
CGH40120F
CGH40180PP
CGH55015F2
CGH55030F2
CGHV27200-TB
CGHV27100-TB
CGHV22200-TB
CGHV22200F
CGHV27200F
CGHV22100F
CGHV27100F
CMPA5585025F
CMPA0060002F
CMPA0060025F
CMPA2560025F