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Cree是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)晶片及RF通信设备的供应商。典型应用包括
l 双通道私人电台
l 宽带放大器
l 蜂窝基础设施
l 测试仪器
l 适于OFDM、W CDMA、Edge、CDMA波形的A类、AB类线性放大器
l Cree RF器件尤其适用于高功率通信,这得益于我们所使用的碳化硅(SiC)材料。
SiC具备的固有优势使得宽带放大器能够用于UHF、L频段和S频段应用。这些特性包括
l 高导热性
l 高击穿电场
l 高饱和电子漂移速度
l 高功率密度(每单位栅范围功率)
这些特点使得GaN HEMT成为多倍频程应用中功率FET的理想之选,可用于十倍频程带宽功率放大器。
深圳市立维创展科技有限公司与Cree原厂直接签约代理销售其全系列射频通信用元器件,可提供COC文件和原厂提供的一切技术与服务支持。一手货源,货期与价格独具优势。
代理CREE氮化镓MMIC功率放大器CMPA0060025F 25W 20-6000MHz
产品外观:
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性能特性:
l 17 dB小信号增益
l 25 W典型PSAT
l 操作高达50 V
l 高击穿电压
l 高温作业
l 0.5×0.5产品总大小
应用范围:
l 超带宽放大器
l 测试仪器
l EMC放大器驱动
其他参数:
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