Cree是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)晶片及RF通信设备的供应商。
深圳市立维创展科技有限公司是其代理。
典型应用包括
l 双通道私人电台
l 宽带放大器
l 蜂窝基础设施
l 测试仪器
l 适于OFDM、W CDMA、Edge、CDMA波形的A类、AB类线性放大器
l Cree RF器件尤其适用于高功率通信，这得益于我们所使用的碳化硅(SiC)材料。
SiC具备的固有优势使得宽带放大器能够用于UHF、L频段和S频段应用。这些特性包括
l 高导热性
l 高击穿电场
l 高饱和电子漂移速度
l 高功率密度（每单位栅范围功率）
这些特点使得GaN HEMT成为多倍频程应用中功率FET的理想之选，可用于十倍频程带宽功率放大器。
深圳市立维创展科技有限公司与Cree原厂直接签约代理销售其全系列射频通信用元器件，可提供COC文件和原厂提供的一切技术与服务支持。一手货源，货期与价格独具优势。
代理CREE氮化镓MMIC功率放大器CMPA2560025F 25W 2500-6000MHz
产品外观：
性能特点;
l 24 dB小信号增益
l 25 W典型PSAT
l 运行在高达28 V
l 高击穿电压
l 高温作业
应用范围：
l 超带宽放大器
l 测试仪表
l EMC放大器驱动
其他参数:
产品描述：
Cree的CMPA2560025F是一个氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）基于单片微波集成电路（MMIC）。 GaN具有优异的性能相比，硅或砷化镓，包括更高的击穿电压，高饱和电子漂移速度，高的导热系数。 GaN HEMT器件还提供了更大的功率密度和更宽的带宽相比，Si和GaAs晶体管。 这MMIC包含两个阶段的被动匹配的放大器，使很宽的带宽要达到占地面积小螺旋式封装，配有钨铜散热器。
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