代理CREE C波段10W氮化镓（GaN）晶体管HEMT CGH55015F2/P2

Cree是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)晶片及RF通信设备的供应商。

深圳市立维创展科技有限公司是其代理商。

典型应用包括

l        双通道私人电台

l        宽带放大器

l        蜂窝基础设施

l        测试仪器

l        适于OFDM、W CDMA、Edge、CDMA波形的A类、AB类线性放大器

l        Cree RF器件尤其适用于高功率通信，这得益于我们所使用的碳化硅(SiC)材料。

SiC具备的固有优势使得宽带放大器能够用于UHF、L频段和S频段应用。这些特性包括

l        高导热性

l        高击穿电场

l        高饱和电子漂移速度

l        高功率密度（每单位栅范围功率）

这些特点使得GaN HEMT成为多倍频程应用中功率FET的理想之选，可用于十倍频程带宽功率放大器。

CGH55015F2/P2

产品外观：