代理CREE 200W 2500-2700MHz 氮化镓（GaN）晶体管 CGHV27200F
Cree是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)晶片及RF通信设备的供应商。
深圳市立维创展科技有限公司是其代理商。
典型应用包括
l 双通道私人电台
l 宽带放大器
l 蜂窝基础设施
l 测试仪器
l 适于OFDM、W CDMA、Edge、CDMA波形的A类、AB类线性放大器
l Cree RF器件尤其适用于高功率通信，这得益于我们所使用的碳化硅(SiC)材料。
SiC具备的固有优势使得宽带放大器能够用于UHF、L频段和S频段应用。这些特性包括
l 高导热性
l 高击穿电场
l 高饱和电子漂移速度
l 高功率密度（每单位栅范围功率）
这些特点使得GaN HEMT成为多倍频程应用中功率FET的理想之选，可用于十倍频程带宽功率放大器。
CGHV27200(工作温度25°C)
产品外观：
基本参数：
l 2.5 - 2.7 GHz工作
l 16-dB增益
l -37 dBc的ACLR在40-WP ave
l 29％的效率在40-WP ave
l 可应用于高程度DPD校正
产品应用：
l 电信
其他参数：
产品描述：
Cree的CGHV27200是镓氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）专为高效率，高增益和高带宽能力，，这使得CGHV27200理想的为2.5 - 2.7 GHz的LTE和BWA放大器应用。 晶体管是螺杆式法兰和焊接式丸包。
深圳市立维创展科技有限公司与Cree原厂直接签约代理销售其全系列射频通信用元器件，可提供COC文件和原厂提供的一切技术与服务支持。一手货源，货期与价格独具优势。
常规用途的 GaN HEMT
CGH40006P
CGH40006S
CGH40010F CGH40025F CGH40035F
CGH40045F CGH40090PP
CGH40120F CGH40180PP
用于 3G、LTE 和 WiMAX 的 GaN HEMT
CGH09120F
CGH21120F
CGH21240F
CGH25120F
CGH27015
CGH27030F
CGH27060F
CGH35015
CGH35030F
CGH35060F
CGH55015F1/P1 CGH55030F1/P1
用于 C 频段应用的 GaN HEMT 产品
CGH55015F2/P2 CGH55030F2/P2
用于 S 频段应用的 GaN HEMT 产品
CMPA2735075F
CGH31240F CGH35240F
GaN
HEMT MMIC
CMPA0060002D
CMPA0060002F CMPA0060025D
CMPA0060025F
CMPA2060025D CMPA2560025F
