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PIN-平面工艺Si探测器采用离子注入平面工艺。与常规的金硅面垒半导体探测器相比,PIN-平面工艺Si探测器具有漏电流要低近两个数量级、能量分辨率更高、耐辐照性能更好、工作性能更稳定等特点。与气体探测器相比,还具有体积小、时间响应快、线性响应好、工作偏压低等优点。
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