一、 芯片介绍与注意事项
基本介绍
ME8316是一款隔离、高PF、高电流精度、单级恒流LED反激拓扑驱动电源控制芯片。主
要针对50W以内 LED驱动而设计的一款高性能控制芯片。内部集成功率因素校正功能、通过
恒定关断时间和工作在（DCM）断续模式中，可以达到很小的总谐波失真电流。而且不需要光
耦和副边的控制电路就能实现输出恒流功能。 此芯片能够实现较高的输出电流调整精度和较
高的电源整机效率。
1、芯片的主要特点
● 原边控制，无需光耦和副边控制电路
● 全电压范围内工作，恒流精度在+/-5%内
● 工作在断续模式中，高达50W的驱动能力
● 内置脉冲前沿消隐，逐周期电流控制
● 实现短路保护、过流保护、开路保护（自恢复功能）
● 内置软启动电路，过欠压保护、过温保护功能
● 输出电流和输出功率可调节

二、各脚的功能以及调试中注意事项
1.CS原边电流采样端
CS端是原边电流采样端，峰值电流检测阈值是2.3V左右， 当功率管打开时，过冲电流会
产生高过冲电压在采样电阻上。为了避免开关误操作，内部产生一个 300ns 的空白期，关
闭内部电流采样比较器，使得功率管不会被误操作而关闭。
输出电流计算公式：
NP：变压器初级绕组匝数
NS：变压器次级绕组匝数
VFB：芯片内部参考电压，恒定为410mV。
R4：DEMO板上采样电阻 （该电阻实际为R4并R4A）
2.VDD供电脚
该脚和STP连在一起。ME8316 的启动电流低至25uA，可有效地减少系统启动电路的损耗，
减小待机功耗。启动阈值电压18V， 关断阈值电压6.7V。过压保护点在19.5V左右。建议
计算VCC电压时，在最大输出电压下把辅助绕组电压设置在19.5V左右， VDD电容推荐为
10uF。
3.DRV脚
该脚为驱动脚，可以驱动50W内的系统。驱动1nF电容上升时间在50ns左右，下降时间在
30ns内。
4.GND 该脚和TM脚连在一起。芯片的电源接地脚，画PCB时注意与功率地分开布线。
5.COMP 该脚连接一个对地电容进行频率补偿，电容大小和PF成正比。
6.DSN
反馈电压输入端。DSE反馈阈值MAX电压为3.2V，画PCB时注意尽量远离功率地线。
最大输出电压计算公式：
NS: 变压器次级绕组匝数 R5: DSN外接上偏分压电阻
NA：变压器辅助绕组匝数 R6：DSN外接下偏分压电阻（假设为10K）
实际调试中下偏电阻上并连电容大小对输出短路和恒流精度有很大影响，建议取68-100PF。
负载调整率调试方法：可以参考DEMO应用图中电路，R15用1206-100欧两个，C4用1NF
200V，C6不装。一般情况可以按DEMO清单制作，建议画PCB时留这几个元件的位置。