1.mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

     2.主要参数

     1).开启电压VT

     ·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；

     ·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；

     ·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

     2). 直流输入电阻RGS

     ·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比

     ·这一特性有时以流过栅极的栅流表示

     ·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。

     3). 漏源击穿电压BVDS

     ·在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS

     4）. 栅源击穿电压BVGS

     ·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。