标准包装:2500,1
包装类型:带卷 (TR),剪切带 (CT)
RoHS规范:无铅 / 环保型
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3.3A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):66 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):502pF @ 30V
功率 - 最大值:1.8W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOP

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