砷化镓 砷化镓太阳电池 砷化镓晶片 绝缘砷制造砷化镓生产配方
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015 在基片上形成的电子器件及其制造方法
[摘要] 本技术涉及在由已知半导体电子器件中使用的材料组成的基片上形成的包括氧化钼的半导体电子器件。本技术还涉及用于在由已在通常的电子和光子器件中使用的材料组成的基片上制造所述电子器件的新方法。适当的基片由诸如以下的材料组成：诸如硅和锗之类的单质半导体、诸如砷化镓和磷化镓之类的
016 带反射镜的无像元远红外上成像装置制造方法
[摘要] 一种带反射镜的无像元远红外上成像装置制造方法。步骤如下：(1)确定类型为砷化镓同质结远红外，发光二极管的顶部和底部DBR反射镜为砷化镓层和铝镓砷层的周期性结构；(2)利用电磁波矢量分解的方法并考虑驻波效应优化了顶部和底部DBR反射镜的参数以及发光二极管的参数；(3)用分子束外延装置先生长出砷化镓同质结远红外，在此基础上依次生长：顶部DBR反射镜、砷化镓和铝镓砷发光二极管、以及底部DBR反射镜，就得到了带反射镜的
019 聚光多结砷化镓太阳电池的制造方法
[摘要] 本技术涉及一种聚光多结砷化镓太阳电池的制造方法，它包括在锗单晶片衬底上制作多结砷化镓外延片、在外延片上涂布一层黑胶保护层，衬底采用工艺减薄厚度、在衬底镀一层钯/银/金作为下电极、在外延片上采用负胶光刻工艺光刻出电极图形，并在电极图形上镀金锗镍/银/金作为上电极、在上电极上再蒸镀一层减反射膜以及去胶金属化后划成需要的尺寸等步骤。本技术聚光多结砷化镓太阳电池的制造方法采用刻槽和台面工艺，降低了电池的漏电流损失，
012 性能提高的砷化镓异质结双极晶体管及其制造方法
[摘要] 根据示例实施例，砷化镓异质结双极晶体管包括集电极层和位于集电极层的上面的第一隔离层，所述第一隔离层是高掺杂P+层。例如，第一隔离层可以包括掺杂碳的GaAs。该砷化镓异质结双极晶体管还包括位于第一隔离层的上面的基极层。该基极层可以包括例如一定浓度的铟，所述铟的浓度在基极层中线性渐变。例如，该基极层可以包括InGaAsN。该砷化镓异质结
010 单片多波长激光器件及其制造该器件的方法
[摘要] 包括制成在单个砷化镓(GaAs)衬底上的一个第一波长的激光部分(102)和一个第二波长的激光部分(103)，其特征在于，第一波长的激光部分(102)具有一个真实引导结构，而第二波长的激光部分(103)具有一个损耗引导结构。在这类
017 制造低坑密度半绝缘砷化镓晶片的方法及其产品
008 低阀值直交流可分的电子机械开关及其制造方法
005 含p型掺杂剂的氧化锌膜及其制造方法
009 一种发光二极管的结构及其制造方法
006 利用玻璃贴合制造高亮度发光二极体的方法
004 半导体发光器件及其制造方法
014 半导体衬底、半导体器件、发光二极管及其制造方法
013 以第三族氮化物为基的倒装片集成电路及其制造方法
003 半导体器件及其制造方法
007 半导体衬底及其制造方法
002 制造半导体器件的方法及其半导体器件
001 氮化镓晶体的制造方法
018 高亮度发光二极管结构及其制造方法
011 半导体衬底及其制造方法
以上19项技术包括在一张光盘内
本站所提供的技术资料均为发明专利、实用新型专利及科研成果，资料中有专利号、专利全文、技术说明书、技术配方、技术关键、工艺流程、图纸、质量标准、专家姓名等详实资料。所有技术资料均为电子图书（PDF格式），承载物是光盘，可以邮寄光盘也可以用互联网将数据发到客户指定的电子邮箱（网传免收邮费，邮寄光盘加收15元快递费）。
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中国工商银行:9558 800706100 203233 收款人: 王 雷
单位：辽宁日经咨询有限公司（技术部）
联系人：王雷老师
电 话：0414-2114320 3130161
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客服QQ：547978 981 517 161662
[摘要] 本技术涉及在由已知半导体电子器件中使用的材料组成的基片上形成的包括氧化钼的半导体电子器件。本技术还涉及用于在由已在通常的电子和光子器件中使用的材料组成的基片上制造所述电子器件的新方法。适当的基片由诸如以下的材料组成：诸如硅和锗之类的单质半导体、诸如砷化镓和磷化镓之类的
016 带反射镜的无像元远红外上成像装置制造方法
[摘要] 一种带反射镜的无像元远红外上成像装置制造方法。步骤如下：(1)确定类型为砷化镓同质结远红外，发光二极管的顶部和底部DBR反射镜为砷化镓层和铝镓砷层的周期性结构；(2)利用电磁波矢量分解的方法并考虑驻波效应优化了顶部和底部DBR反射镜的参数以及发光二极管的参数；(3)用分子束外延装置先生长出砷化镓同质结远红外，在此基础上依次生长：顶部DBR反射镜、砷化镓和铝镓砷发光二极管、以及底部DBR反射镜，就得到了带反射镜的
019 聚光多结砷化镓太阳电池的制造方法
[摘要] 本技术涉及一种聚光多结砷化镓太阳电池的制造方法，它包括在锗单晶片衬底上制作多结砷化镓外延片、在外延片上涂布一层黑胶保护层，衬底采用工艺减薄厚度、在衬底镀一层钯/银/金作为下电极、在外延片上采用负胶光刻工艺光刻出电极图形，并在电极图形上镀金锗镍/银/金作为上电极、在上电极上再蒸镀一层减反射膜以及去胶金属化后划成需要的尺寸等步骤。本技术聚光多结砷化镓太阳电池的制造方法采用刻槽和台面工艺，降低了电池的漏电流损失，
012 性能提高的砷化镓异质结双极晶体管及其制造方法
[摘要] 根据示例实施例，砷化镓异质结双极晶体管包括集电极层和位于集电极层的上面的第一隔离层，所述第一隔离层是高掺杂P+层。例如，第一隔离层可以包括掺杂碳的GaAs。该砷化镓异质结双极晶体管还包括位于第一隔离层的上面的基极层。该基极层可以包括例如一定浓度的铟，所述铟的浓度在基极层中线性渐变。例如，该基极层可以包括InGaAsN。该砷化镓异质结
010 单片多波长激光器件及其制造该器件的方法
[摘要] 包括制成在单个砷化镓(GaAs)衬底上的一个第一波长的激光部分(102)和一个第二波长的激光部分(103)，其特征在于，第一波长的激光部分(102)具有一个真实引导结构，而第二波长的激光部分(103)具有一个损耗引导结构。在这类
017 制造低坑密度半绝缘砷化镓晶片的方法及其产品
008 低阀值直交流可分的电子机械开关及其制造方法
005 含p型掺杂剂的氧化锌膜及其制造方法
009 一种发光二极管的结构及其制造方法
006 利用玻璃贴合制造高亮度发光二极体的方法
004 半导体发光器件及其制造方法
014 半导体衬底、半导体器件、发光二极管及其制造方法
013 以第三族氮化物为基的倒装片集成电路及其制造方法
003 半导体器件及其制造方法
007 半导体衬底及其制造方法
002 制造半导体器件的方法及其半导体器件
001 氮化镓晶体的制造方法
018 高亮度发光二极管结构及其制造方法
011 半导体衬底及其制造方法
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