制造商: Diodes Incorporated

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息

商标: Diodes Incorporated

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: - 60 V

Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V

Id-连续漏极电流: - 3.2 A

Rds On-漏源导通电阻: 190 mOhms

配置: Dual Dual Drain

Vgs th-栅源极阈值电压: - 1 V

Qg-栅极电荷: 17.7 nC

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.15 W

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-8

封装: Reel

通道模式: Enhancement

下降时间: 11.3 ns

正向跨导 - 最小值: 4.7 S

最小工作温度: - 55 C

上升时间: 3.4 ns

工厂包装数量: 500

典型关闭延迟时间: 26.2 ns

我们的优势

1 现货库存多

为了能够更好更快捷的服务每个客户，我们备存了大量产品，仓库分布在上海、深圳、北京、青岛四个地域

2 订货渠道广

公司经过7年的发展，已经建立了一批优质的供应商群体，为数千家客户提供了产品，其中客户覆盖制造业、电子加工业、研究所、航天航空、军工企业等

3．质量保证、交货快捷

我司拥有大量质深采购（五年以上）及品质工程师（8-10年）。所有送出产品严格把控质量，只做原装正品，不是正品可赔付。

4.大型B to C平台即将上线

全方位的型号库，准确的库存，合理的价格，真实的实物图片及PDF技术资料，旨在更好的服务每个客户

面对未来，我们承诺在保持现有优势的基础上，为客户提供更全面、更优质的运营服务。顺祝各客户位朋友，生意兴隆，万事如意！