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两级晶 体 管BCP56,115
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深圳市中晶电子科技有限公司
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品牌
NXP
型号
BCP56,115
结构
PNP管
商标
:
NXP Semiconductors
配置
:
Single
晶体管极性
:
NPN
集电极—基极电压 VCBO
:
100 V
集电极—发射极最大电压 VCEO
:
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
:
5 V
最大直流电集电极电流
:
1 A
增益带宽产品fT
:
180 MHz
最大工作温度
:
+ 150 C
安装风格
:
SMD/SMT
封装 / 箱体
:
SOT-223
直流集电极/Base Gain hfe Min
:
63 at 5 mA at 2 V, 63 at 150 mA at 2 V, 40 at 500 mA at 2 V
直流电流增益 hFE 最大值
:
63 at 5 mA at 2 V
最大功率耗散
:
960 mW
最小工作温度
:
- 65 C
封装
:
Reel
工厂包装数量
:
1000
零件号别名
:
BCP56 T/R
2N7002,215
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