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场效应管MOS管12N60
1000台起批
2.20
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产品属性
图文详情
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品牌/型号
扬晶/12N60
材料
N-FET硅N沟道
种类
结型JFET
漏源电压VDSS
600V
型号
12N60
封装外形
SMDSO/表面封装
漏电流ID
12A
品牌
扬晶
用途
HF/高频射频放大
沟道类型
N沟道
导电方式
耗尽型
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