026 半导体集成电路器件
[摘要] 提供一种虚拟MOSFET,其与构成CMOS输出电路的N沟道输出MOSFET的栅极共同连接,并且将其设置成具有对应于构成CMOS输出电路的P沟道输出MOSFET的栅极电容与N沟道输出M
040 再现装置、系统大规模集成电路及再现方法
[摘要] 根据应用的构建请求虚拟包。在这样虚拟包之后,虚拟文件系统(23)基于示出8.3形式的文件路径与长文件
021 集成电路封装的静电放电(ESD)防护
[摘要] 本技术提供一种集成电路封装的静电放电防护方法。该集成电路封装包括封装衬底,其具有多个引脚,连接到半导体芯片上的多个接合垫,其中一些与形成于半导体芯片上的集成电路的IC接合垫相连接,其它则与集成电路绝缘的浮动接合垫相连接。所述多个引脚包括连接到主动接合垫的主动引脚,以及连接到浮动接合垫的虚拟(非连接)引脚。这些由连接材料所形成的浮动接合垫同样可用来形成集成电路。可使用球格阵列(BGA)或倒装芯片的IC封装,以及一种提供形成IC封装的方法。由于此封装的邻接的
020 半导体集成电路及半导体集成电路的设计方法
[摘要] 本技术揭示一种半导体集成电路及半导体集成电路的设计方法。这种半导体集成电路,包括:逻辑电路,连接驱动所述逻辑电路的第1电源线一侧的第1虚拟电源线和第1电源线的第1开关元件,以及连接驱动所述逻辑电路的第2电源线一侧的第2虚拟电源线和第2电源线
029 用于虚拟电源的集成电路布局
[摘要] 一种标头晶体管(3)和标尾晶体管(5),提供了用于集成电路的内核(1)的虚拟电源。该标头晶体管(3)和/或标尾晶体管(5)被划分为许多个较小的晶体管。例如,标头晶体管(3)被划分为第一片段3a和第二片段3b,而标尾晶体管(5)被划分为第一片段5a和第二片段5b。每个片段3a/3b和5a/5b的组合宽度将与现有技术的单一的标头/标尾晶体管(3、5)的宽度相同。然而,每个片段3a、3b、5a和5b的单独的宽度将是较小的,由此在集成电路设计中改善了标头/标尾晶体管(3、5)的布局。标头晶体管(3)和标尾晶体管(5)均匀地围绕内核(1)配置。这具有能够使功率均匀地分布到内核中的优点,由此避免了
015 半导体集成电路器件的制造方法及探针卡
030 记录装置、主机装置、记录方法、指令方法、程序、集成电路、再生装置、再生方法及一次写入式记录介质
010 集成电路卡系统、使用该系统的通信终端机及其制造方法
014 半导体集成电路的平面布置装置及方法
011 半导体集成电路的设计方法、装置以及电子装置
018 使用虚拟元件来抛光集成电路器件的方法
041 记录介质,播放装置,程序,播放方法,系统集成电路
028 半导体集成电路器件
009 验方法、验程序、记录媒体、信息处理装置、集成电路
037 用于播放装置的集成电路
039 集成电路
019 设计低功耗半导体集成电路的方法
016 数据处理及虚拟集成电路制造环境中数据的方法
004 用于带有与非型闪速存储器的集成电路卡的记录装置
035 集成电路中虚拟电源干线的调制
032 半导体集成电路设备及虚拟图案排列方法
005 半导体集成电路装置
013 用于在基于的集成电路中传输图案的方法和装置
038 数据处理装置、数据处理方法、数据处理程序、记录介质及集成电路
006 一种虚拟宠物玩具的集成电路装置
027 具有ROM矩阵的集成电路器件
001 多阈值MIS集成电路器件及其电路设计方法
034 半导体集成电路
017 半导体集成电路
002 集成电路的虚拟图案
025 用于具有基本设计的集成电路的技术迁移的方法和系统
031 半导体集成电路装置及电子装置
042 记录介质,播放装置,程序,播放方法,系统集成电路
023 绝缘横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)集成电路技术
007 具有虚拟高速缓存的发声集成电路
033 减少集成电路泄漏电流的方法和设备
012 半导体集成电路装置
024 记录介质,播放装置,程序,播放方法,系统集成电路
008 可信设备集成电路和对其中的存储器件进行虚拟化的方法
044 助听处理装置、调整装置、助听处理系统、助听处理方法、程序、以及集成电路
043 记录介质,播放装置,程序,播放方法,系统集成电路
036 服务提供方法和集成电路
022 一种集成电路结构及制造方法
003 服务提供方法和集成电路
以上44项技术包括在一张光盘内
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