STP10NK80Z - STP10NK80ZFP
STW10NK80Z
N沟道800V - 0.78W - 9A TO-220/ TO-220FP/ TO-247
齐纳保护的超网™功率MOSFET
典型RDS（ON）=0.78W¯¯
DV dt能力的过高/
100％雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
非常良好制造
重复性
说明
在超网™系列是通过获得
ST的极端优化完善的stripbased
的PowerMESH™布局。除了推
导通电阻显著下来，特别小心
确保为很好的dv / dt能力
最苛刻的应用。这种系列的补
意法半导体全系列高压MOSFET，包括
革命性的MDmesh™产品。
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