参数类型 | Sio2技术指标 |
产品尺寸 | 4寸SIO2硅片 |
制备方法 | LPcvd |
表面 | 单面抛光/双面氧化 |
晶圆直径 | 100.2±0.3mm |
类型 | P型/N型 |
晶体取向 | 100 |
电阻率Ω | ＜0.05 1~10 10~30 其他定制 |
平整度TIR | ＜3um |
翘曲度TTV | ＜10um |
弯曲度BOW | ＜10um |
粗糙度Ra | ＜0.5nm |
颗粒度Pewaferr | ＜（for size＞0.3um） |
氧化层厚度 | 100nm/300nm/500nm(300nm试验效果最好推荐) |
厚度um | 常规500非常规厚度请询问掌柜13613627346 qq1391291099 |
用途 | 用于工艺等同步辐射样品载体，PVD/CVD镀膜做衬底磁控溅射生长XRD SEM原子力红外光谱荧光光谱等分析测试基底，X射线分析晶体半导体光刻等诸多科研用途。 |
生产线技术支持 | 哈尔滨工业大学（科学园区） |
付款方式 | 支付宝购买/公对公转账/校方合同付款/直接汇款/支付宝钱包 |
发票类型 | 黑龙江省国家税务局统一机打发票（税控机随时打印，金额太小开票联系掌柜协商） |
加工周期 | 5~15个工作日（一般根据数量和技术指标而定） |
包装 | 25片/包 100级无尘包装 单片提供分装盒 |
哈尔滨快递时效 | 顺丰速运价格22元全国（12~48小时）圆通快递价格10元全国（2~3天）偏远地区需加24小时以内时间 |
发货时段 | 当日16.00之前当天发货，之后次日发货。 |
对外警告（支持原厂，反对复制） | 近期有不法商家复制我厂图片，参数表均为假货，请各位客户注意请认准哈尔滨特博科技有限公司 |
