日本的科学家采用 B i zo 作为 添加剂，B i 2 O3 在 8 2 0 C r 熔化，在 l 5 0 0℃的烧结温度超出部分已经挥发，这样能够在液相烧结条件下得到比较纯的 I T O靶材。而且所需要的氧化物原料也 不一定是纳米颗粒，这样可以简化前期的工序。采川

这样的靶材得到的 I T O 薄膜的屯阻率达到 8 ． 1 ×1 0 n- c m，接近纯的 I T O薄膜 的电阻率。F P D和导电玻璃的尺寸都相当火，导电玻璃的宽 度甚至可以达到 3 1 3 3 _ ，为了提高靶材的利用率，开发 了不同形状的I T O靶材，如圆柱形等。2 0 0

0年，国家 发展计划委员会、科学技术部在《 当前优先发展的信 息产业重点领域指南》中， I T O大型靶材也列入其中。深圳众诚达应用材料科技有限公司生产销售的靶材应用于平板显示与触控行业。

深圳众诚达应用材料科技有限公司生产销售的靶材不断随着行业发展，研发升级。各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路 (VLSI) 、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等 方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代 以来，溅射靶材及溅射技术的同步发展，极大地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如，在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝 膜布线：在平面显示器产业中，各种显示技术 (如LCD、PDP 、OLED及FED等)的同步发展，有的已 经用于电脑及计算机的显示器制造；在信息存储产业中，磁性存储器的存储容量不断增加，新的磁光记录材料不断推陈出新这些都对所需溅射靶材的质量提 出了越来越高的要求，需求数量也逐年增加。