日本的科学家采用 B i zo 作为 添加剂，B i 2 O3 在 8 2 0 C r 熔化，在 l 5 0 0℃的烧结温度超出部分已经挥发，这样能够在液相烧结条件下得到比较纯的 I T O靶材。而且所需要的氧化物原料也 不一定是纳米颗粒，这样可以简化前期的工序。采川

这样的靶材得到的 I T O 薄膜的屯阻率达到 8 ． 1 ×1 0 n- c m，接近纯的 I T O薄膜 的电阻率。F P D和导电玻璃的尺寸都相当火，导电玻璃的宽 度甚至可以达到 3 1 3 3 _ ，为了提高靶材的利用率，开发 了不同形状的I T O靶材，如圆柱形等。2 0 0

0年，国家 发展计划委员会、科学技术部在《 当前优先发展的信 息产业重点领域指南》中， I T O大型靶材也列入其中。深圳众诚达应用材料科技有限公司生产销售的靶材应用于平板显示与触控行业。

深圳众诚达应用材料科技有限公司生产销售的靶材应用于微电子领域。在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是最苛刻的。如今12英寸 （3 0 0衄 口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅 片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒， 这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性

已被认为是影响薄膜沉 积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大，过去99.995 %（4 N5）

纯度的铜靶，或许能够满 足半导体厂商0.3 5pm 工艺的需求，但是却无法满足如今0.2 5um的工艺要求， 而未米的 0.18um }艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材纯度将要求达 到5甚至 6N以上。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更 低的电阻率，能够满足！导体工艺在0 .25um 以下 的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导 致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡

层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50n m，与铜及介质材料的附着性能良好。铜互连和铝互连的阻挡层 材料是不同的．需要研制新的靶材材料。铜互连的阻 挡层用靶材包括 T a 、W、T a S i 、WS i 等．但是T a 、W 都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。