类别：NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管

集电极-发射极电压VCEO：18V ；

集电极-基极电压VCBO:25V ；

发射极-基极电压VEBO:4V ；

集电极直流电流IC:60mA；

总耗散功率(TA=25℃)Ptot:200mW ；

工作结温Tj:150℃ ；

贮存温度Tstg:-65~150℃；

功率特性：小功率；

极性：NPN型 ；

结构：扩散型 ；

材料：硅(Si) ；

封装形式：表面贴封装：SOT-23；

封装材料：塑料封装；

击穿电压:V(BR)CEO=18V,V(BR)CBO=25V,V(BR)EBO=4V

直流放大系数hFE: 70～190@VCE=5V,IC=1mA;

集电极发射极饱和压降VCE(sat): 0.5v@IB=1mA;,IC=10mA;

基极发射极饱和压降VBE(sat):
1.4v@IB=1mA;,IC=10mA;

集电极-基极截止电流ICBO:100nA(最大值)

发射极-基极截止电流IEBO:100nA(最大值)

集电极允许电流IC：
0.05（A）

集电极最大允许耗散功率PT：
0.2（W）；

特征频率fT：2000MHz@IC=5mA,VCE=5V,f=400MHz;

噪声系数NF：
0.5dB@IC=5mA,VCE=5V,f=400MHz;

功率增益GUM：14dB@IC=5mA,VCE=5V,f=400MHz;

反馈电容Cre：
0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=5V,f=1MHz;

插入功率增益∣S21∣：11dB@IC=5mA,VCE=5V,f=400MHz。