上世纪90年代初国际上诞生了一种新的功率器件IGBT，它具有功率大、开关损耗低、工作频率高（可达100Khz），IGBT的制造技术经过20年的发展，已经相当成熟，特别是INFINEON公司制作的第四代IGBT，其饱和压降已≤1.7而硬开关频率已达20KHZ，IGBT在变频器领域、开关电源领域、感应加热领域已是绝对的主角。

串联谐振感应线圈的损耗最多只有并联谐振感应线圈的。因此，串联谐振输出电路的损耗约占整机功率的5%-10%，所以串联谐振变频的中频感应加热设备的整机效率为80%-90%。

在串联谐振电路中，感应线圈上中频电压的高低与变频功率器件的耐压无关，只要感应线圈的绝缘允许，提高中频电压就可以进一步降低感应线圈的损耗，整机效率就会进一步提高，这和输电为什么要用高压输送是一个道理。

IGBT是一种全控型功率器件，它的开通与关闭是由其栅极直接控制，与振荡回路的功率因素无关，与振荡回路的Q值无关，所以，无论负载的轻重均可成功启动，因此，只要在设计中选择合适的Q值，就可既保证设备的可靠性又能使设备具有很高的效率，从而达到节电的目的。

由IGBT变频的串联谐振型中频感应加热炉，具有功率因素高≥0.95，若采用12脉冲整流功率因素可≥0.97；节电显著（比传统可控硅中频炉节电10%—30%），在任何负载下均可成功启动等优点，是锻造厂家节能改造替代传统可控硅中频炉的最佳选择。​ 

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