深圳市青佺电子有限公司开发的≥500万次保证8年以上的实际使用的LXD的系列，不仅保证储能点焊机快速充放电功能，亦可适用交流纹波很高的场合或功率因素调整线路。这一款是在日立及EPCOS基础上设计的，附加特殊离子导通及散热技术,并采用松下支链型氨盐及纳米材料表面络合剂电解液，总体各参数指标超过Hitachi及EPCOS放电电容该铝电解电解电容的顶级制造商，随着电子产业发展由大家共同培育的CAPSUN，其铝电解电容的全球市场占有率名列前矛，深受客户的信赖，品牌口碑持续保持行业最前列。丰富的产品表现卓越，造就了顶级制造商，并为各种高度化的机器提供最合适的零部件。

浪涌电压保护开关频率很高的现代功率半导体器件易受潜在的损害性电压尖峰脉冲的影响。

跨接在功率半导体器件两端的浪涌电压保护电容器（如CAPSUN LWSJ）通过吸收电压脉冲限制了峰值电压，从而对半导体器件起到了保护作用，使得浪涌电压保护电容器成为功率元件库中的重要一员。

半导体器件的额定电压和电流值及其开关频率左右着浪涌电压保护电容器的选择。

由于这些电容器承受着很陡的DV/DT值，因此，对于这种应用而言，薄膜电容器是恰当之选。

在额定电压值高达2000VDC

的条件下，典型的电容额定值在470PF～47NF之间。对于大功率的半导体器件，如IGBT，电容器值可高达2.2ΜF，电压在1200VDC

的范围内。

不能仅根据电容值/电压值来选择电容器。在选择浪涌电压保护电容器时，还应考虑所需的DV/DT值。

耗散因子决定着电容器内部的功率耗散。因此，应选择一个具有较低损耗因子的电容器作为替换。