| 型号: | NGTB50N60FLWG | | 制造商: | ON Semiconductor | | RoHS: | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | | 封装: | Tube | | 说明: | IGBT 晶体管 600V/50A IGBT LPT TO-247 | | 配置 | Single | | 集电极—发射极最大电压 VCEO | 600 V | | 集电极—射极饱和电压 | 1.65 V | | 栅极/发射极最大电压 | 20 V | | 在25 C的连续集电极电流 | 100 A | | 栅极—射极漏泄电流 | 200 nA | | 功率耗散 | 223 W | | 最大工作温度 | + 150 C | | 封装 / 箱体 | TO-247 | | 封装 | Tube | | 商标 | ON Semiconductor | | 最小工作温度 | - 55 C | | 安装风格 | Through Hole | | 工厂包装数量 | 30 |
|
|