西安LPCVD设备2-6
LPCVD产品应用：用于2-6英寸多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜生长工艺及其掺杂（如PSG或BPSG等） ![]()
LPCVD产品特点： ◆工业计算机控制系统，对炉温、进退舟、气体流量、闸门等动作进行自动控制 ◆采用悬臂送片器，操作方便、无摩擦污染等 ◆关键部件均采用进口，确保设备的高可靠性 ◆工艺管路采用进口阀门管件组成-气密性好、耐腐蚀、无污染（管路均采用EP级电抛光管），流量控制采用进口质量流量计（MFC） ◆工作压力闭环自动控制，提高工艺稳定性和可靠性 ◆控温精度高，温区控温稳定性好 ◆具有断电报警、超温报警、极限超温报警等多种安全保护功能 ◆高质量的加热炉体，确保恒温区的高稳定性及长寿命 ![]()
LPCVD主要技术指标：◆工作温度：300～1000℃◆适应硅片尺寸：2～6英寸◆装片数量：30～100片/管 ◆工艺管数量：1～3管（可选择） ◆恒温区长度：
760mm±1℃（热壁式，可形成温度梯度）◆极限真空度：
8.0× 10 -1
Pa（约6.0× 10 -3
Torr） ◆工作真空度：
10 ～ 1000Pa可调 ◆淀积膜均匀性：片内≤±5%◆控制系统：整机控制系统采用工业控制计算机（WINDOWS
系统界面，操作方便简洁） ◆气源系统：进口阀管件、自动轨道焊接欢迎索取相应详尽的技术资料及共研相应项目的解决方案。
