NT-CVD（G）系列真空高温管式炉专门设计用于高温CVD工艺,如ZnO纳米结构的可控生长、氮化硅渡膜、陶瓷基片导电率测试、陶瓷电容器（MLCC）气氛烧结等等。 窑炉采用氧化铝纤维制品隔热、保温，国产优质硅钼棒加热，优质刚玉管炉膛, 系统可预抽真空，气体采用浮子流量计控制。进口单回路智能温度控制仪控制，设备具有温度均匀、控制稳定、升温速度快、节能、使用温度高、寿命长等特点，是理想的科研设备。
一、 技术指标：
设 备 型 号
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NT-CVD(G)-08/50/1
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温区最高温度
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1650℃；(最长恒温时间：≥10小时)；常用温度：1600℃
(最长恒温时间：≥100小时)
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加热有效容积
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Φ72（内经）×500mm;恒温区尺寸：Φ72（内经）×250mm
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炉管实际尺寸
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Φ80（外径）×1400mm （国产优质刚玉管）
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炉 膛 材 料
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氧化铝纤维制品
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控制温区点数
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1个，1支B分度热偶
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设备温场温差
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±1℃ ，日本岛电进口40段程序控制仪表(1只)
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加 热 元 件
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优质硅钼棒
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最大加热功率
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12Kw
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保 温 功 率
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5kw
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最大升温速率
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3℃∽10℃/min;
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