中文名称：砷化铟英文名称：indium arsenideCAS号：1303-11-3EINECS号：215-115-3分子式：AsIn分子量：189.7396砷化铟是由铟和砷构成的Ⅲ一V族化合物半导体材料。常温呈银灰色固体，具有闪锌矿型的晶体结构，晶格常数为0.6058nm，密度为5.66g/cm(固态)、5.90g/cm(熔点时液态)。能带结构为直接跃迁，禁带宽度(300K)0.45eV。InAs相图如图所示。

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​​生产的产品主要有：高纯单质、高纯碲系化合物、高纯硒系化合物、高纯硫系化物、高纯氧化物、高纯靶材、光伏组件。
高纯单质有：碲（Te）、铟（In）、镉（Cd）、锡（Sn）、锌（Zn）、硫（S）、、锑（Sb）、硒（Se）、铋（Bi）、铜（Cu）、镓（Ga）、锗（Ge）、等。
高纯碲系化合物有：碲化镉（CdTe）、碲化锌（ZnTe）、碲化亚铜 （CuTe）、碲化亚铜（ Cu2Te）、碲化铅 （PbTe）、碲化铋（ Bi2Te3）、碲化锡（SnTe）、碲锑铋（BiSbTe）、碲锑锗（GeSbTe）、碲锡铅（PbSnTe）、碲锌镉（CdZnTe）等。
高纯硒系化合物有：硒化铟（In2Se3）、硒化镉（CdSe）、硒化锌（ZnSe）、硒化铜（CuSe）、硒化亚铜（Cu2Se）、三硒化二铋（Bi2Se3）、三硒化二镓（Ga2Se3）、硒碲铋（BiTeSe）、硒銦铜（CuInSe2）、铜銦镓硒（SeGaInCu）等。
高纯硫系化物有：硫化镉（CdS）、硫化锌（ZnS）、硫化铜（CuS）、二硫化锡（SnS2）、三硫化二镓（Ga2S3）、三硫化二銦（In2S3）、三硫化二铋（Bi2S3）、硫銦铜（CuInS）、硫锗铜（CuIGeS）等。
高纯氧化物有：二氧化碲（TeO2）、氧化锌（ZnO）、氧化铋（Bi2O3）、氧化铟（In2O3）、三氧化二锑（Sb2 O3）、二氧化锡（SnO2）、氧化镓（Ga2O3）等。
其它高纯化合物有：锑化镓(GaSb)、锑化銦(InSb)、氯化亚銦（InCl）、铜銦镓（GaInCu），亚碲酸钠(Na2TeO3)，醋酸铟（In(C2H3O2)3），锡酸镉(Cd2SnO4)等等。
高纯靶材有：铜銦镓硒（SeGaInCu）靶、硒化铟（In2Se3）靶、二硫化锡（SnS2）靶、硫化铜（CuS）靶、三硫化二銦In2S3）靶等。

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