[1、] 具有纵向金属绝缘物半导体晶体管的半导体器件及其制造方法
[技术摘要]一种半导体器件包括一层形成于导电类型的半导体层内的扩散区。该扩散区包括分别为和第二导电类型的和第二杂质扩散区。该扩散区所具有的和第二区由和第二杂质扩散区的杂质浓度所决定，在区与第二区之间的结被形成于其中和第二杂质扩散区彼此重叠的部分中。或第二区在半导体层的平面方向内杂质浓度的周期小于用于组成或第二区的和第二杂质扩散区在半导体层的平面方向内的最大宽度。

[2、] 纵向晶体管、存储装置以及用于制造纵向晶体管的方法
[技术摘要]一种纵向晶体管(100)，具有设置在半导体衬底(101)中的垂直方向上的一源区(103)、一漏区(109)、一栅极区(108)、和一在源区(103)与漏区(109)之间的沟道区(104)，其中，栅极区(104)具有对源区(103)、对漏区(109)、和对沟道区(104)的电绝缘，并且是如此地围绕沟道区(104)设置的，使得栅极区(108)和沟道区(104)形成一同轴结构。

[3、] 具有纵向型和横向型双极晶体管的半导体器件
[技术摘要] 一种半导体器件，具有Ｐ型半导体衬底１、在半导体衬底１上形成的纵向型双极晶体管和横向型和横向型双极晶体管都具有Ｎ型基区４，Ｎ型集电极区７ａ、Ｎ型发射极区８以及Ｐ型绝缘扩散区７ｂ用来隔离纵向型和横向型双极晶体管，横向型双极晶体管的集电区和发射区中的至少一个区的深度与绝缘扩散区７ｂ的深度基本上相同。

[4、] 纵向晶体管
[技术摘要] 一种存储器单元如ＤＲＡＭ单元中用的纵向晶体管，它具有沟道电容器。该纵向晶体管包括栅，该栅有位于沟道电容器上的水平部分和垂直部分。

5-WX66627 纵向晶体管
6-WX66627 制造纵向MOS晶体管的方法
7-WX66627 具有纵向晶体管的存储单元的布图和布线图
8-WX66627 纵向化合物半导体型场效应晶体管结构
9-WX66627 纵向双极型晶体管及其制造方法
10-WX66627 超薄SOI纵向双极型晶体管及其方法
11-WX66627 纵向结型场效应晶体管及其制造方法
12-WX66627 使用可通过深n阱CMOS技术获得的纵向双极结型晶体管的直接转换接收器
13-WX66627 纵向双极晶体管的制造方法和集成电路
14-WX66627 纵向场效应晶体管及其制造方法
15-WX66627 一种共电极薄SOI纵向双极型晶体管器件及其制造方法




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