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中高压MOSFET的优点 第4代结600 -V DTMOS Ⅳ MOSFET系列 东芝已开发出第4代结600 -V DTMOS Ⅳ的MOSFET系列产品。通过采用先进的单层外延工艺， DTMOS Ⅳ减少了30 ％的罗恩A，这是MOSFET相较于其前一代产品DTMOS Ⅲ所具有的一个数字化的优点（ FOM） 。对于罗恩A的降低，实现了在相同封装中安装较低Ron芯片的可能。这也有助于提升效率和减小电源的尺寸大小。 特点 1 ，罗恩·一个减小了30 ％ ，这是MOSFET相较于其前一代产品（差动Ⅲ ）的一个数字化优点。 2，因为采用了独立单层外延工艺，所以在高温时导通电阻增加较少。 3，因为减小了科斯，所以相较于前一代产品（差动Ⅲ ） ，可以降低12 ％的开关损耗， EOSS 。 DTMOS四： EOSS曲线 具有相同罗恩的产品的效率比较 4，可用的导通电阻范围广泛， RDS（ON） ： 0.9 Ω - 0.018 Ω 5，多种封装选择 插针式： TO- 220 ， TO- 220SIS ， IPAK ， I2PAK ， TO- 3P （N ） ， TO- 3P （L ） ， TO- 247 表面贴装型： DPAK ， D2PAK 应用:通信设备的电源\服务器\台式电脑\适配器 LED照明\UPS\液晶电视\焊机\打印机\太阳能逆变器| 10A600V |
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