标准包装

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类别

分离式半导体产品

家庭

FET - 单

系列

QFET™

FET 型

MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点

标准型

漏极至源极电压(Vdss)

600V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C

2A

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C

4.7 欧姆 @ 1A, 10V

Id 时的 Vgs(th)（最大）

4V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs

12nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)

235pF @ 25V

功率 - 最大

23W

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3 整包

供应商设备封装

TO-220F

包装

管件