【原装正品场效应管PTA02N60现货超性能创明微供应】价格_厂家

原装正品场效应管PTA02N60现货超性能创明微供应

不限

￥0.1

中国深圳

产品属性

图文详情

品牌推荐

品牌

PIP

型号

PTA02N60

类型

绝缘栅型场效应管/MOS场效应管

沟道类型

N型沟道

导电方式

增强型

适合频率

高频

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材质

N-FET硅N沟道

工作电压

600V

工作电流

长泾

1.5mm

全国品牌代理商创明微科技供应原装正品现货PTA02N60美国团队新品研发上市库存足价格优性能强无铅环保量大从优

PTA02N60品牌：pip PTA02N60封装：TO-220 PTA02N60参数:2A/600V

PTA02N60最小包装：50pcs/管 1000pcs/和 5000pcs/箱

2N60场效应管应用范围：适配器，电视主电源，SMPS电源，LCD面板电源
2N60场效应管产品参数：符合ROHS，低导通电阻，低栅极电荷，ESD能力提高

PiP品牌是一款美国品牌，产地是在美国，美国总部为匹普斯智能功率半导体有限公司，在韩国也设有分公司，台湾分公司，深圳分公司，无锡分公司。此品牌设置的产品晶体管内部带有防静电，内阻比国内很多品牌都很低。

平面高压DMOS（带静电防护）：
1.内置多晶硅齐纳二极管来提升静电防护能力
2.高可靠性和高稳定性，高效率，高EAS的能力
3.优化栅极氧化工艺及其他相关工艺。增加栅源耐电压击穿能力
4.广泛应用于LED照明领域，交直流电源，直流-直流转换器和PWM电机驱动。

2N60场效应管封装： TO-220F TO-220 TO-251 TO-252 TO-247等系列
2N60场效应管型号：PTA02N60 PTU02N60 PSA04N60 PSA04N65 PSA07N60 PSA07N65等系列。
创明微愿景：
公司始终以：“诚信，务实，高效，双赢”的方针
创明微科技：以诚信经营为宗旨，打造百年诚信企业为方向。
也许我们只是一个小小配件，却是您产品中不可或缺的一份子！
我们持续创新，以满足您不断变化的需求，是您企业不断发展壮大的强大支持。

深圳市创明微科技有限公司
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② 工作原理

1.栅源电压VGS的控制作用

当VGS=0 V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。

当栅极加有电压时，若0

进一步增加VGS，当VGS>VGS(th)时( VGS(th) 称为开启电压)，由于此时的栅极电压已经比较强，在靠近栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子，可以形成沟道，将漏极和源极沟通。如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。在栅极下方形成的导电沟道中的电子，因与P型半导体的载流子空穴极性相反，故称为反型层。随着VGS的继续增加，ID将不断增加。在VGS=0V时ID=0，只有当VGS>VGS(th)后才会出现漏极电流，这种MOS管称为增强型MOS管。

VGS对漏极电流的控制关系可用iD=f(vGS)?VDS=const这一曲线描述，称为转移特性曲线，见图02.14。

图02.14 转移特性曲线

转移特性曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 gm 的量纲为mA/V，所以gm也称为跨导。

跨导的定义式如下：

图02.16 漏极输出特性曲线和转移特性曲线

(2)N沟道耗尽型MOSFET

N沟道耗尽型MOSFET的结构和符号如图02.17(a)所示，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子。所以当VGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。于是，只要有漏源电压，就有漏极电流存在。当VGS>0时，将使ID进一步增加。VGS<0时，随着VGS的减小漏极电流逐渐减小，直至ID=0。对应ID=0的VGS称为夹断电压，用符号VGS(off)表示，有时也用VP表示。N沟道耗尽型MOSFET的转移特性曲线如图02.17(b)所示。