硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于超高频低噪声功率管主要应用于VHJF，UHF，CATV高频宽带低噪声放大器。

类别:NPN-硅通用晶体管

集电极-发射极电压VCEO:12V

集电极-基极电压VCBO:20V

发射极-基极电压VEBO:3.0V

集电极直流电流IC:100mA

总耗散功率(TA=25℃)Ptot:225mW

工作结温Tj:150℃

贮存温度Tstg:-65~150℃

电性能参数(TA=25℃):

击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20,V(BR)EBO=3.0

直流放大系数hFE:50~300

集电极-基极截止电流ICBO:100nA(最大值)

发射极-基极截止电流IEBO:100nA(最大值)

特征频率fT:7.0GHz

封装:SOT-23

功率特性:中功率

极性:NPN型

结构:扩散型

材料:硅(Si)

封装材料:塑料封装

集电极允许电流:0.1(A)

集电极最大允许耗散功率:0.2(W)