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中高压MOSFET的优点
第4代结600 -V DTMOS Ⅳ MOSFET系列
东芝已开发出第4代结600 -V DTMOS Ⅳ的MOSFET系列产品。通过采用先进的单层外延工艺, DTMOS Ⅳ减少了30 %的罗恩A,这是MOSFET相较于其前一代产品DTMOS Ⅲ所具有的一个数字化的优点( FOM) 。对于罗恩A的降低,实现了在相同封装中安装较低Ron芯片的可能。这也有助于提升效率和减小电源的尺寸大小。
特点
1 ,罗恩·一个减小了30 % ,这是MOSFET相较于其前一代产品(差动Ⅲ )的一个数字化优点。
2,因为采用了独立单层外延工艺,所以在高温时导通电阻增加较少。
3,因为减小了科斯,所以相较于前一代产品(差动Ⅲ ) ,可以降低12 %的开关损耗, EOSS 。
DTMOS四: EOSS曲线
具有相同罗恩的产品的效率比较
4,可用的导通电阻范围广泛, RDS(ON) : 0.9 Ω - 0.018 Ω
5,多种封装选择
插针式: TO- 220 , TO- 220SIS , IPAK , I2PAK , TO- 3P (N ) , TO- 3P (L ) , TO- 247
表面贴装型: DPAK , D2PAK
应用:通信设备的电源\服务器\台式电脑\适配器 LED照明\UPS\液晶电视\焊机\打印机\太阳能逆变器
功率10A600V |
类型场效应MOS管 |
生产地址江苏 |
运费卖家承担 |
产品等级优质;良好 |
销售地区四川 |
适用设备独轮车平衡车电动车无人飞机适配器 |
产品别名FSC |
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