200x200 mm² 快速退火炉，最高1300℃ 应用RTA (Rapid Thermal Annealing) 快速热退火 RTO (Rapid Thermal Oxidation) 快速热氧化 Diffusion 扩散 Selenization, sulfuration 硒化，硫化 Compound semiconductor annealing 化合物半导体退火 Nitridation, Silicidation 氮化，硅化 Crystallization and Densification 结晶化，致密化 具体参数设备用于处理200x200 mm²基片 体积最小化，便于维护 稳定性高，拥有成本低 不锈钢冷腔室壁技术使得设备工艺复现性高，可实现超洁净无污染环境及高冷却速率和低记忆效应 灯管可配置在顶部，底部或两端。多个灯炉控制区域增强温度稳定性。 高温计和热电偶结合快速数字温度控制器，可实现精确的高低温控制 边缘高温计视窗加强控制用于化合物半导体和小型样品的基片托温度 标配真空性能。经客户要求，可提供高真空版本，本地压强可抽至10-6 mbar | 
