溅射蚀刻是一个纯粹的物理工艺，是溅射沉积的反向作用。将要保留的区域保护起来，待蚀刻的部件被连接到阴极上，再用DC或RF溅射等离子体产生的氩离子轰击未被保护的区域以求达到蚀刻的目的。然而，溅射蚀刻是无选择性的。它产生的氩离子同时蚀刻保护区域的胶层和未保护部分的铜箔，这就要求保护区域的胶层必须具备一定的厚度，在未保护区域的铜箔的完全蚀刻掉以后必须还有一定的厚度。

溅射蚀刻的方式非常适合高精度制造场合，被广泛地用于制造器件和集成电路，也越来越多地用于制造混合电路和多芯片模块。该蚀刻方式的致命弱点就是蚀刻速率特别低，每分钟只能蚀刻3—6个埃厚的铜