2.5V驱动N沟道MOSFET

制造商零件编号：RSE002N06TL
描述：Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 60V 0.25A EMT3
最低订购数量：1
包装：剪切带 （CT）
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：250mA（Ta）

（最大值）：2.4 欧姆 @ 250mA，10V
（最大值）：2.3V @ 1mA
极电荷 (Qg)：-
输入电容 (Ciss)：15pF @ 25V
功率 - 最大值：150mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-75，SOT-416
供应商器件封装：EMT3