NCE8580是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET,
旨在有更好的特性,如快速开关时间,低门充电,低状态电阻。
该MOSFET有着广泛的应用：
1.电动车控制器，
2.扭扭车控制器，
3.锂电保护板，
4.电源充电器，
5.可完全代替STP85NF55，STP75NF75。
VDS=85V；ID=80A； 高散热能力；高洁温下，大电流持续导通能力; 低导通电阻，低栅极电荷; 电参数高度一致性和重复性 拥有高ESD能力; 产品基本信息 BVDSS (V) Vth (V) Vgs(V) Ron(10V) (mΩ) Ron(4.5V) (mΩ) Ron(2.5V) (mΩ) N/P电压 名称封装 ID(A) N-85V NCE8580 TO-220 80 180 85 88 2 2.85 4 ±20 6.8 8.5