高真空蒸发镀膜设备

一、 设备用途：

这是一台高真空单室有机/金属热蒸发镀膜设备，主要用于有机半导体材料的物理化学性能研究实验、有机半导体器件的原理研究实验。

该设备具有有机材料热蒸发—沉积和金属材料热蒸发—沉积成膜功能。它是在高真空条件下，通过加热材料的方法，在衬底上沉积各种化合物、混合物单层或多层膜，在衬底上沉积各种金属或合金电极并形成器件。

二、设备主要技术特点：

1、蒸发源组件石英复合组件，为电流控制方式，配有电压表与电流表，3套蒸发源可实现2对共蒸， 2个金属蒸发源（电极水冷），配有2套电控系统，额定电压5V，额定电流300A。

2、最大样品尺寸100*100mm。

3、真空获得为复合分子泵+机械泵，配有预抽真空系统，可在分子泵不停止的情况下实现换样品，设备30分钟以内优于2*10-3pa，极限压力8*10-5pa。

4、密封刀口无氧铜金属密封，其余用氟胶圈，真空管路用不锈钢金属波纹管路，采用超高真空阀门。

5、每个蒸发源配挡板，基片配挡板，保证镀膜的可控性。

6、样品旋转可在0-30转/分钟调速及定位。

三、设备主要组成：

该设备由一台有机/金属真空蒸发镀膜室、分子泵真空机组、样品传送装置、电控系统、膜厚检测、组成。

真空镀膜室：1组有机蒸发源、2组金属蒸发源、旋转样品台、样品挡板、真空获得与测量、电源系统等组成。

真空室为前开门式，便于取放样品及换蒸发源，主机与机柜分体式便于维护，每组蒸发源之间有隔板隔离，避免相互污染。

四、工作条件及主要技术参数：

1、供电：～380V三相五线供电系统（整机容量6KW），环境温度10℃～40℃，冷却水循环量0.3M3/H，水温度15℃～30℃，气源压力6公斤，6毫米塑料管。

2、极限真空：8×10-5Pa（新设备）；工作背景真空：2×10-3Pa；恢复工作背景真空时间30分钟左右。

热蒸发镀膜设备配置参数