概述：
M5576是一款高集成度、高性能、电流模式PWM控制芯片，离线式AC-DC反激拓扑结构，具备低待机功耗和低成本优点。正常工作下，PWM开关频率处于合理的范围内，在空载或轻载条件下，IC工作在“跳周期模式”来减少开关损耗，从而实现低待机功耗和高转换效率，M5576提供完善的保护功能，包括自动恢复保护、逐周期电流限制（OCP）、过载保护（OLP）、VDD的欠压锁定（UVLO）、过温保护（OTP）和过电压（固定或可调的）保护（OVP），具备抖频功能，改善系统的EMI性能。
特点：
■软启动功能，减少功率MOSFET的VDS应力
■跳周期模式控制的改进，提高效率降低待机功耗
■抖频功能，改善系统EMI性能
■消除音频噪声
■65KHz的开关频率
■完善的保护功能
Ø VDD 欠压保护
Ø 逐周的过流阈值设置，恒定输出功率
Ø 自动恢复式过载保护（OLP）
Ø 自动恢复式过温保护（OTP）
Ø 锁定型的VDD 过压保护（OVP）
Ø 锁定型的过温保护（OTP）
Ø 过压保护点OVP通过外部稳压二极管可调
■采用SOT-23-6和DIP-8封装
应用：■手机充电器, 上网本充电器
■笔记本适配器
■机顶盒电源
■各种开放式开关电源
典型应用
产品规格分类
| 产品名称 | 开关频率 | 封装形式 | 包装形式 |
| M5576SR | 65kHz | SOT23-6 | 编带 3K/盘 |
| M5576PR | 65kHz | DIP-8 | 管装 50个/管 2000个/盒 |
极限参数
项目
| 参数值
| 单位
|
| 最小值 | 最大值 |
| VDD直流供电电压 |
| 30 | V |
| VDD齐纳嵌位电压 |
| 10 | V |
| VDD直流嵌位电流 |
| VDD_Clamp+0.1 | mA |
| COMP输入电压 | -0.3 | 7 | V |
| SEN输入电压 | -0.3 | 7 | V |
| OTP输入电压 | -0.3 | 7 | V |
| 最小/最大工作结温 | -20 | 150 | ℃ |
| 最小/最大贮存温度 | -55 | 165 | ℃ |
|
| 260 | ℃ |
注：如果器件工作条件超出上述各项极限值，可能对器件造成永久性损坏。上述参数是工作条件的极限值，不建议器件工作在推荐条件以外的情况。器件长时间工作在极限工作条件下，其可靠性及寿命可能受到影响。
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