概述：
M8911是一款隔离式、单级有源功率因数校正的高精度原边反馈LED恒流控制芯片，适用于全范围输入电压的反激式隔离LED恒流电源。M8911集成有源功率因数校正电路，具有很高的功率因数和较低的总谐波失真。工作在电感电流临界连续模式，功率MOS管处于零电流开通状态，减小开关损耗。M8911工作于原边反馈模式，无需次级反馈电路，即可实现高精度输出恒流控制。
特点：
■内置单级有源功率因数校正，PF>0.9
■原边反馈，无需光耦，TL431等器件
■高性能的线电压调整率和负载调整率
■±3%输出电流精度
■内置650V功率MOSFET
■启动电流(33uA)
■INV反馈电阻值高，功耗低
■多重保护功能
ØLED开路/短路保护
Ø电流采样电阻开路保护
Ø逐周期原边电流限流
Ø芯片供电过压/欠压保护
Ø自动重启功能
Ø过热调节功能
■采用SOP-8封装
应用：
高PFC要求的PSR方案，主要用在带PFC的外置电源和球泡灯，射灯，天花灯等小功率LED电源
管脚排列图:
M8911管脚排列图
管脚描述：
管脚名称 | 管脚号 | 管脚描述 |
COMP | 1 | 环路补偿点 |
VDD | 2 | 芯片供电 |
INV | 3 | 辅助绕组反馈信号采样端 |
SEN | 4 | 电流采样端，接采样电阻到地 |
DRAIN | 5,6 | 内部高压MOSFET的漏极 |
GND | 7,8 | 芯片信号和功率地 |
极限参数：
符号 | 名称 | 参数范围 | 单位 |
VDS | 内部高压MOSFET漏极到源极的峰值电压 | -0.3~650 | V |
VDD | 电源电压 | -0.3~25 | V |
ICC_MAX | VDD引脚最大钳位电流 | 5 | mA |
COMP | 环路补偿点 | -0.3~6 | V |
INV | 辅助绕组的反馈端 | -0.3~6 | V |
SEN | 电流采样端 | -0.3~6 | V |
PDMAX | 功耗(注2) | 0.45 | W |
θJA | PN结到环境的热阻 | 145 | ℃/W |
TJ | 工作结温范围 | -40 to 150 | ℃ |
TSTG | 储存温度范围 | -55 to 150 | ℃ |
| ESD (注3) | 2 | KV |
推荐工作范围：
符号 | 名称 | 参数范围 | 单位 |
VDD | 电源电压 | 8.5—18V | V |
Pout1 | 输出功率（输入电压230V±15%） | <10 | W |
Pout2 | 输出功率（85V—265V） | <7 | W |
注1：最大极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。推荐工作范围指在该范围内，器件功能正常，但并不完全保证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数规范。对于未给定上下限值的参数，该规范不予保证其精度，但其典型值合理反映了器件性能。
注2：温度升高最大功耗一定会减小，这也是由TJMAX, θJA,和环境温度TA所决定的。最大允许功耗为PDMAX= (TJMAX-TA)/ θJA或是极限范围给出的数字中比较低的那个值。
注3：人体模型，100pF电容通过1.5KΩ电阻放电。
电气参数：Tc=25℃
符号 | 参数描述 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
电源电压 | ||||||
VDD_ON | VDD启动电压 | VDD上升 |
| 16.7 |
| V |
VDD_UVLO | VDD欠压保护阈值 | VDD下降 |
| 7.5 |
| V |
VDD_OVP | VDD过压保护阈值 |
|
| 19 |
| V |
VDD_CLAMP | VDD钳位电压 |
|
| 23 |
| V |
Icc_UVLO | VDD关断电流 | VDD上升VDD=VDD_ON-1V |
| 33 | 50 | uA |
Icc | VDD工作电流 |
|
| 1 | 2 | mA |
INV反馈 | ||||||
VINV_FALL | INV下降阈值电压 | INV下降 |
| 0.1 |
| V |
VINV_HYS | INV迟滞电压 | INV上升 |
| 0.08 |
| V |
VINV_OVP | INV过压保护阈值 |
|
| 1.6 |
| V |
TON_MAX | 最大导通时间 |
|
| 25 |
| uS |
TOFF_MIN | 最小关断时间 |
|
| 4.5 |
| uS |
TOFF_MAX | 最大关断时间 |
|
| 100 |
| uS |
电流采样 | ||||||
VSEN_LIMIT | SEN峰值电压限制 |
|
| 1.0 |
| V |
TLEB_SEN | 电路采样前沿消隐时间 |
|
| 350 |
| ns |
TDELAY
| 芯片关断延迟 |
|
| 200 |
| ns |
环路补偿 | ||||||
VREF | 内部基准电压 |
| 0.194 | 0.200 | 0.206 | V |
Vcomp_LO | COMP下钳位电压 |
|
| 1.5 |
| V |
VCOMP | COMP线性工作范围 |
| 1.5 |
| 3.5 | V |
VCOMP_OVP | COMP保护电压 |
|
| 3.6 |
| V |
功率MOSFET | ||||||
RDS_ON | 功率MOSFET导通电阻 | VGS=10V/IDS=1A |
| 4.2 |
| Ω |
BVDSS | 功率MOSFET击穿电压 | VGS=0V/IDS=250uA | 650 |
|
| V |
IDSS | 功率MOSFET漏电流 | VGS=0V/VDS=650V |
|
| 1 | uA |
过热调节 | ||||||
TREG | 过热调节温度 |
|
|
| 150 | ℃ |
注4：典型参数值为25˚C下测得的参数标准。
注5：规格书的最小、最大规范范围由测试保证，典型值由设计、测试或统计分析保证。
内部框图
M8911内部框图
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