额定电压：1200V AC/ 1000V DC
额定电流：0.5A-30A
分断能力：100kA

执行标准：UL248
安规认证：UL,CE,RoHS
等级：aR

较低的I2T,可对半导体进行更有效的保护；
低功耗，更易降低温升；
尺寸小巧，更好的设计、安装优势。
较高的分断能力.

半导体保护熔断器是专为功率半导体器件如IGBT、IGCT、GTO、SCR等提供保护的快速熔断器，半导体产品非常昂贵，但承受的过载能力却非常有限，因此必须知道过载更灵敏、分断更迅速的熔断器对其提供保护。

相对于传统的熔断器，半导体保护熔断器具有较低的I²t及弧电压。其设计符合IEC6029-4，常被成为"局部范围"或后备“保护熔断器，现归类为"aR"型熔断器。随着被保护产品功率的提高及性能的发展，“全范围”保护熔断器的使用需求呼声也越来越高，因此，2002年，"gR”和"gS"l两类具有全范围分断能力的熔断器划分到了IEC60269-4中，其中gR类在低I²上占优势，而gS类在低功耗方面占优势.