本公司合金法大功率(1W/2W/3W) 穩壓二極管(ZENER DIODE)芯片封測客戶

1.本公司採合金法製程:只能專業生產 <8.2V 以下 穩壓值芯片

2.本公司所提供的大功率穩壓芯片 (1.0W=30MIL/2.0W=40MIL/3.0W=50MIL)芯片愈大 穩壓值Vz愈小 對檔率愈小  

3.限於製程局限性 工廠可以保證如下 (但很多客戶實測 大都是只會更高)

 以1.0W ( 0.76MM=30MIL ) ZENER CHIP 舉例說明如下:

3.3V 55-60%: (其餘40-45%可能是往下跨檔到3.0V 或是往上跨檔到 3.6V 但  

計入良品率內 )

3.6V  60-65%                   3.9V  65-70%

4.3V  70-75%                   4.7V  75-80%

5.1V  80-85%                   5.6V  85-90%

> 6.2V  90-95% (含6.8/7.5V/8.2V)

 8.2V 已是合金法的極限高壓了

4. 總良品率: 94%以上

2W (1.01MM=40MIL) 就只能勉強做出  3.3V (往下跨檔最低3.0V)

原則上同1.0W 但是對檔率更低就是

3W (1.25MM=50MIL) 就只能勉強做出 3.6V(往下跨檔最低3.3V)

5. 合金法芯片看似很大，實際上 P面真正有效焊接面積 所顯示出的強度 只有

一個口字型的條框上的極小面積 所以焊接後,極易因外力而折損,不似一般的GPP芯片焊接這麼牢靠,所以較適合應用貼片封裝製程 ，較不建議應用於軸向封裝 除非軸向封裝工廠有能力自行調整封裝工序相關條件，但是因焊接與塑封後應力產生的電性問題,不論是貼片與軸向封裝廠都要自行調整工序找到最佳操作條件解決。受制於製程工藝限制 合金法芯片能改善外來應力的空間已是微乎其微

7. 目前大功率1W/2W/3W約99%都使用是GPP封裝的TVS 當 ZENER 芯片使用

8. 限於GPP製程極限 1.0W ZNENR < 42MIL的芯片尺寸 很難產出芯片,且< 9.0 V 的也幾乎無法產出

9. 愈低穩壓值或是愈大功率 不論任何工藝都是愈難產出  

10.但是整體來說GPP產出芯片,其焊接強度比合金法好多,由於作業員已習慣GPP芯片堅牢的焊接後強度與手勢 於軸向作業時 常易於焊接後,拆盤時,折斷半成品 應提前 特別注意交代宜輕柔作業

11.我們以3吋片供應:片與K數計算公式 1W 0.76MM(30MIL) 6.3K/片 計算

12. 限於合金法製程 產出芯片 用划測方式抽檢 因此必有極小部份有刮痕 難以避免 請諒解

13. 合金法的芯片最大優點是:                                           13-1絕大多是 硬特性                                               13-2高溫下電氣特性很穩定，但是只能生產低穩壓值；GPP(TVS)則相反

偏軟特性，內電阻大 ，高溫下電氣特性極易產生變化

14因合金法有上述種種局限與缺失,所以在30年前就開始被淘汰了,最近是因應大功率LED燈與其他節能省電產品的興起,需要低穩壓線路保護用,才又開始啟用,

15.合金法是穩壓二極管的開山始祖,  後續才有: 擴散GPP 外延 離子植入........

等各種工藝在這30年內陸續研發產出