在10-4Torr真空下蒸发温度为：1025℃ 

纯度：4N
透 明 区/nm：200-8000
相对介电常数：3-4 
击穿电压/V•cm-1：106
厚    度μm：0.03-0.3
沉积技术：反应溅射
折 射 率(波长/nm)：1.46(500) 
               1.445(1600)
线膨胀系数/℃-1:5.5×10-7
蒸发方式：电子束
性      能： 可用钽舟加热蒸发，也可用三氧化二铝坩埚加热蒸发，但由电阻加热蒸发会产生分解，由电子束加热蒸发效果很好；不溶于水和酸，但溶于氢氟酸；其微粒能与熔融碱起作用；
应       用： 二氧化硅用途广泛，主要用于冷光膜、防反膜、多层膜、滤光片、绝缘膜、眼镜膜、紫外膜等。